창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RG3216V-6980-P-T1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | RG Series | |
제품 교육 모듈 | Intro to Thin Film Chip Resistors | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | Cert of RoHS Compliance | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
제조업체 | Susumu | |
계열 | RG | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 698 | |
허용 오차 | ±0.02% | |
전력(와트) | 0.25W, 1/4W | |
구성 | 박막 | |
특징 | 자동차 AEC-Q200 | |
온도 계수 | ±5ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
패키지/케이스 | 1206(3216 미터법) | |
공급 장치 패키지 | 1206 | |
크기/치수 | 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | |
높이 | 0.020"(0.50mm) | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | RG3216V-6980-P-T1 | |
관련 링크 | RG3216V-, RG3216V-6980-P-T1 Datasheet, Susumu Distributor |
TMK212SD472JD-T | 4700pF 25V 세라믹 커패시터 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | TMK212SD472JD-T.pdf | ||
C1206C394J5RACTU | 0.39µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C1206C394J5RACTU.pdf | ||
MD015A121JAB | 120pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 2-DIP 0.260" L x 0.100" W(6.60mm x 2.54mm) | MD015A121JAB.pdf | ||
SA5.0A-B | TVS DIODE 5VWM 9.2VC DO204AC | SA5.0A-B.pdf | ||
ASEM1-32.000MHZ-LC-T | 32MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 10mA Standby (Power Down) | ASEM1-32.000MHZ-LC-T.pdf | ||
590UC-ADG | 10MHz ~ 124.999MHz CML XO (Standard) Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 110mA Enable/Disable | 590UC-ADG.pdf | ||
3SMBJ5920B-TP | DIODE ZENER 6.2V 3W DO214AA | 3SMBJ5920B-TP.pdf | ||
BZW03D75-TAP | DIODE ZENER 75V 1.85W SOD64 | BZW03D75-TAP.pdf | ||
4307R-475K | 4.7mH Shielded Molded Inductor 63mA 81.6 Ohm Max Axial | 4307R-475K.pdf | ||
F55J200E | RES CHAS MNT 200 OHM 5% 55W | F55J200E.pdf | ||
RT1206CRD079K76L | RES SMD 9.76KOHM 0.25% 1/4W 1206 | RT1206CRD079K76L.pdf | ||
LR2F130R | RES 130 OHM 3/4W 1% AXIAL | LR2F130R.pdf |