창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RJK0332DPB-01#J0 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | RJK0332DPB-01 | |
PCN 조립/원산지 | Power Transistors Relocation 12/Nov/2013 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 35A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.7m옴 @ 17.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 14nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2180pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 45W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-100, SOT-669 | |
공급 장치 패키지 | LFPAK | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | RJK0332DPB-01#J0TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | RJK0332DPB-01#J0 | |
관련 링크 | RJK0332D, RJK0332DPB-01#J0 Datasheet, Renesas Electronics America Distributor |
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![]() | H851K1BYA | RES 51.1K OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H851K1BYA.pdf | |
![]() | TDA8296HN/C1,551 | RF Demodulator IC 40-VFQFN Exposed Pad | TDA8296HN/C1,551.pdf |