Renesas Electronics America RJK03C1DPB-00#J5
- 제조업체 부품 번호
- RJK03C1DPB-00#J5
- 제조업 자
- Renesas Electronics America
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
RJK03C1DPB-00#J5 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 884.01440
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of RJK03C1DPB-00#J5, we specialize in all series Renesas Electronics America electronic components. RJK03C1DPB-00#J5 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RJK03C1DPB-00#J5, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- RJK03C1DPB-00#J5 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
RJK03C1DPB-00#J5 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-RJK03C1DPB-00#J5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | RJK03C1DPB | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Renesas Electronics America | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-channel, 쇼트키, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.2m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 42nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6000pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 65W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-100, SOT-669 | |
| 공급 장치 패키지 | LFPAK | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | RJK03C1DPB-00#J5-ND RJK03C1DPB-00#J5TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | RJK03C1DPB-00#J5 | |
| 관련 링크 | RJK03C1D, RJK03C1DPB-00#J5 Datasheet, Renesas Electronics America Distributor | |
RJK03C1DPB-00#J5 의 관련 제품
 | MA505C105KAA | 1µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 축방향 0.250" Dia x 0.500" L(6.35mm x 12.70mm) | MA505C105KAA.pdf | |
 | 5KT151KGDCM | 150pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | 5KT151KGDCM.pdf | |
 | 416F300X2IDT | 30MHz ±15ppm 수정 18pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F300X2IDT.pdf | |
 | 520N15CT26M0000 | 26MHz Clipped Sine Wave TCXO Oscillator Surface Mount 2.5V 2.5mA | 520N15CT26M0000.pdf | |
| SIT9001AI-33-25E6-125.00000Y | OSC XO 2.5V 125MHZ OE 0.50% | SIT9001AI-33-25E6-125.00000Y.pdf | |
| SIT8208AI-3F-18E-33.333333T | OSC XO 1.8V 33.333333MHZ OE | SIT8208AI-3F-18E-33.333333T.pdf | |
 | AISC-0805-R12J-T | 120nH Unshielded Wirewound Inductor 400mA 510 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | AISC-0805-R12J-T.pdf | |
 | RLB0914-221KL | 220µH Unshielded Wirewound Inductor 700mA 600 mOhm Max Radial | RLB0914-221KL.pdf | |
 | ERJ-PA3F4123V | RES SMD 412K OHM 1% 1/4W 0603 | ERJ-PA3F4123V.pdf | |
.jpg) | CRGV1206J1M5 | RES SMD 1.5M OHM 5% 1/4W 1206 | CRGV1206J1M5.pdf | |
| AA1206FR-0742R2L | RES SMD 42.2 OHM 1% 1/4W 1206 | AA1206FR-0742R2L.pdf | |
| HAL107JQ-C | IC HALL EFFECT SWITCH UNIPO TO92 | HAL107JQ-C.pdf |
