Renesas Electronics America RJK0656DPB-00#J5
- 제조업체 부품 번호
- RJK0656DPB-00#J5
- 제조업 자
- Renesas Electronics America
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 60V 40A LFPAK
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
RJK0656DPB-00#J5 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,334.36160
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of RJK0656DPB-00#J5, we specialize in all series Renesas Electronics America electronic components. RJK0656DPB-00#J5 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RJK0656DPB-00#J5, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- RJK0656DPB-00#J5 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
RJK0656DPB-00#J5 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-RJK0656DPB-00#J5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | RJK0656DPB | |
| PCN 조립/원산지 | Power Transistors Relocation 12/Nov/2013 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Renesas Electronics America | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 40A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.6m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3000pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 65W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-100, SOT-669 | |
| 공급 장치 패키지 | LFPAK | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | RJK0656DPB-00#J5-ND RJK0656DPB-00#J5TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | RJK0656DPB-00#J5 | |
| 관련 링크 | RJK0656D, RJK0656DPB-00#J5 Datasheet, Renesas Electronics America Distributor | |
RJK0656DPB-00#J5 의 관련 제품
 | 6LS471KEFCA | 470pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 Y5P(B) 방사형, 디스크 0.354" Dia(9.00mm) | 6LS471KEFCA.pdf | |
 | SM6T150A-M3/52 | TVS DIODE 128VWM 207VC DO-214AA | SM6T150A-M3/52.pdf | |
 | 445A35B16M00000 | 16MHz ±30ppm 수정 13pF 40옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A35B16M00000.pdf | |
 | SIT9002AC-48H33DX | 1MHz ~ 220MHz HCSL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 80mA | SIT9002AC-48H33DX.pdf | |
 | BZT52C2V7S-TP | DIODE ZENER 2.7V 200MW SOD323 | BZT52C2V7S-TP.pdf | |
 | EM6K6T2R | MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6 | EM6K6T2R.pdf | |
 | MT121NP-URD | Red LED Indication - Discrete 6.8V Radial | MT121NP-URD.pdf | |
 | XPGBWT-H1-R250-00EZ8 | LED Lighting XLamp® XP-G2 White, Warm 2700K 2.8V 350mA 115° 2-SMD, No Lead, Exposed Pad | XPGBWT-H1-R250-00EZ8.pdf | |
 | B82462G4222M | 2.2µH Shielded Wirewound Inductor 2.55A 25 mOhm Max Nonstandard | B82462G4222M.pdf | |
 | HM71-20470LFTR | 47µH Unshielded Wirewound Inductor 800mA 390 mOhm Max Nonstandard | HM71-20470LFTR.pdf | |
 | 4816P-3-161/241 | RES NTWRK 28 RES MULT OHM 16SOIC | 4816P-3-161/241.pdf | |
| MBB02070D2742DC100 | RES 27.4K OHM 0.6W 0.5% AXIAL | MBB02070D2742DC100.pdf |
