창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RJK0703DPP-E0#T2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | RJK0703DPP-E0#T2 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fabrication Site Change 02/Oct/2013 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 70A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.7m옴 @ 35A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 56nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4150pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 25W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | TO-220FP | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | RJK0703DPP-E0#T2 | |
관련 링크 | RJK0703D, RJK0703DPP-E0#T2 Datasheet, Renesas Electronics America Distributor |
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![]() | GRM188R72A222KA01J | 2200pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM188R72A222KA01J.pdf | |
![]() | SQCFVA3R9BAT1A | 3.9pF 250V 세라믹 커패시터 A 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.24mm) | SQCFVA3R9BAT1A.pdf | |
![]() | BYM12-200-E3/96 | DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB | BYM12-200-E3/96.pdf | |
![]() | BUL59 | TRANS NPN 400V 8A TO220 | BUL59.pdf | |
![]() | IRF9540NPBF | MOSFET P-CH 100V 23A TO-220AB | IRF9540NPBF.pdf | |
![]() | CRCW060356K2FKTA | RES SMD 56.2K OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW060356K2FKTA.pdf | |
![]() | CRA06S08327R4FTA | RES ARRAY 4 RES 27.4 OHM 1206 | CRA06S08327R4FTA.pdf | |
![]() | CMF202K4000JNEB | RES 2.4K OHM 1W 5% AXIAL | CMF202K4000JNEB.pdf | |
![]() | ALSR10470R0FE12 | RES 470 OHM 7W 1% AXIAL | ALSR10470R0FE12.pdf | |
![]() | MMG38151BT1 | RF Amplifier IC General Purpose 0Hz ~ 6GHz SOT-89A | MMG38151BT1.pdf | |
![]() | FD-31 | FIBER M3 REFLECT R2 BEND RADIUS | FD-31.pdf |