창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RJK1001DPP-E0#T2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | RJK1001DPP-E0#T2 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fabrication Site Change 02/Oct/2013 Power Transistors Relocation 12/Nov/2013 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.5m옴 @ 40A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 147nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 10000pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 30W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | TO-220FP | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | RJK1001DPP-E0#T2 | |
관련 링크 | RJK1001D, RJK1001DPP-E0#T2 Datasheet, Renesas Electronics America Distributor |
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CBR06C150F1GAC | 15pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CBR06C150F1GAC.pdf | ||
VJ0603D131FLXAJ | 130pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D131FLXAJ.pdf | ||
CB052G0154K-- | 0.15µF Film Capacitor 160V 250V Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET), Metallized - Stacked 2824 (7260 Metric) 0.283" L x 0.240" W (7.20mm x 6.10mm) | CB052G0154K--.pdf | ||
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SRN3012TA-150M | 15µH Unshielded Wirewound Inductor 740mA 386 mOhm | SRN3012TA-150M.pdf | ||
SP1210-681J | 680nH Shielded Wirewound Inductor 1.32A 119 mOhm Max Nonstandard | SP1210-681J.pdf | ||
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ERJ-8BWJR056V | RES SMD 0.056 OHM 5% 1W 1206 | ERJ-8BWJR056V.pdf | ||
AT0805BRD0760K4L | RES SMD 60.4K OHM 0.1% 1/8W 0805 | AT0805BRD0760K4L.pdf | ||
RSF200JB-73-5K1 | RES 5.1K OHM 2W 5% AXIAL | RSF200JB-73-5K1.pdf |