창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RJK1003DPN-E0#T2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | RJK1003DPN-E0#T2 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11m옴 @ 25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 59nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4150pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 125W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | RJK1003DPN-E0#T2 | |
관련 링크 | RJK1003D, RJK1003DPN-E0#T2 Datasheet, Renesas Electronics America Distributor |
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![]() | C0603X5R1C103M030BA | 10000pF 16V 세라믹 커패시터 X5R 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | C0603X5R1C103M030BA.pdf | |
![]() | 1812J1K00103KXT | 10000pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | 1812J1K00103KXT.pdf | |
![]() | VJ0805D9R1CLPAJ | 9.1pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D9R1CLPAJ.pdf | |
![]() | SIT1602BIL32-33E-25.000000Y | OSC XO 3.3V 25MHZ OE | SIT1602BIL32-33E-25.000000Y.pdf | |
![]() | IRF9389PBF | MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO | IRF9389PBF.pdf | |
![]() | MP4-2E-1F-00 | MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY | MP4-2E-1F-00.pdf | |
![]() | ERJ-6GEYJ134V | RES SMD 130K OHM 5% 1/8W 0805 | ERJ-6GEYJ134V.pdf | |
![]() | RG3216P-1870-B-T1 | RES SMD 187 OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216P-1870-B-T1.pdf | |
![]() | PFS35-110RF1 | RES SMD 110 OHM 1% 35W TO263 | PFS35-110RF1.pdf | |
![]() | RNF14BAE15K6 | RES 15.6K OHM 1/4W .1% AXIAL | RNF14BAE15K6.pdf | |
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