창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RJK1052DPB-00#J5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | RJK1052DPB | |
PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 15/Aug/2013 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fabrication Site Change 02/Oct/2013 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 20m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 29nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4160pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 55W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-100, SOT-669 | |
공급 장치 패키지 | LFPAK | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | RJK1052DPB-00#J5-ND RJK1052DPB-00#J5TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | RJK1052DPB-00#J5 | |
관련 링크 | RJK1052D, RJK1052DPB-00#J5 Datasheet, Renesas Electronics America Distributor |
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![]() | SP1210-104J | 100µH Shielded Wirewound Inductor 154mA 8.7 Ohm Max Nonstandard | SP1210-104J.pdf | |
![]() | S0603-47NH1B | 47nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 310 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | S0603-47NH1B.pdf | |
![]() | RCP0603B390RJTP | RES SMD 390 OHM 5% 3.9W 0603 | RCP0603B390RJTP.pdf | |
![]() | RAVF104DJT330K | RES ARRAY 4 RES 330K OHM 0804 | RAVF104DJT330K.pdf | |
![]() | LR0204F91K | RES 91.0K OHM 1/4W 1% AXIAL | LR0204F91K.pdf | |
![]() | RR02J4K3TB | RES 4.30K OHM 2W 5% AXIAL | RR02J4K3TB.pdf | |
![]() | CMF60225R70FLEK | RES 225.7 OHM 1W 1% AXIAL | CMF60225R70FLEK.pdf | |
![]() | Y078532K6500T9L | RES 32.65K OHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y078532K6500T9L.pdf | |
![]() | ADXRS646TBGZ-EP-RL | Gyroscope Z (Yaw) ±250 1kHz Analog Voltage 32-CBGA (7x7) | ADXRS646TBGZ-EP-RL.pdf |