Renesas Electronics America RJK1052DPB-00#J5
- 제조업체 부품 번호
- RJK1052DPB-00#J5
- 제조업 자
- Renesas Electronics America
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 20A LFPAK
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
RJK1052DPB-00#J5 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 884.01440
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of RJK1052DPB-00#J5, we specialize in all series Renesas Electronics America electronic components. RJK1052DPB-00#J5 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RJK1052DPB-00#J5, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- RJK1052DPB-00#J5 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
RJK1052DPB-00#J5 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-RJK1052DPB-00#J5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | RJK1052DPB | |
| PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 15/Aug/2013 | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fabrication Site Change 02/Oct/2013 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Renesas Electronics America | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 20m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 29nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4160pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 55W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-100, SOT-669 | |
| 공급 장치 패키지 | LFPAK | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | RJK1052DPB-00#J5-ND RJK1052DPB-00#J5TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | RJK1052DPB-00#J5 | |
| 관련 링크 | RJK1052D, RJK1052DPB-00#J5 Datasheet, Renesas Electronics America Distributor | |
RJK1052DPB-00#J5 의 관련 제품
 | URS1A682MHD1TN | 6800µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | URS1A682MHD1TN.pdf | |
 | 35MS54R7MEFCTZ4X5 | 4.7µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 85°C | 35MS54R7MEFCTZ4X5.pdf | |
 | MKP386M456200JT1 | 0.56µF Film Capacitor 700V 2000V (2kV) Polypropylene (PP), Metallized Rectangular Box 1.732" L x 1.181" W (44.00mm x 30.00mm) | MKP386M456200JT1.pdf | |
 | STFW1N105K3 | MOSFET N-CH 1050V 1.4A TO3PF | STFW1N105K3.pdf | |
 | 744242471 | 470µH @ 100kHz 2 Line Common Mode Choke Surface Mount 2.2 kOhm @ 100kHz 400mA DCR 350 mOhm | 744242471.pdf | |
-TDK.jpg) | MLF2012DR33MT000 | 330nH Shielded Multilayer Inductor 250mA 400 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | MLF2012DR33MT000.pdf | |
 | ISC1812ES2R2J | 2.2µH Shielded Wirewound Inductor 390mA 460 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | ISC1812ES2R2J.pdf | |
 | RMCF0201FT30R1 | RES SMD 30.1 OHM 1% 1/20W 0201 | RMCF0201FT30R1.pdf | |
.jpg) | AF0805JR-0722RL | RES SMD 22 OHM 5% 1/8W 0805 | AF0805JR-0722RL.pdf | |
 | RNCF0603DTC4K02 | RES SMD 4.02KOHM 0.5% 1/10W 0603 | RNCF0603DTC4K02.pdf | |
| RT0805WRE07243RL | RES SMD 243 OHM 0.05% 1/8W 0805 | RT0805WRE07243RL.pdf | |
 | RFD22301 | RF TXRX MOD BLUETOOTH CHIP ANT | RFD22301.pdf |
