Renesas Electronics America RJK2006DPE-00#J3

RJK2006DPE-00#J3
제조업체 부품 번호
RJK2006DPE-00#J3
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 200V 40A LDPAK
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내부 부품 번호EIS-RJK2006DPE-00#J3
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서RJK2006DPE, DPF, DPJ
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보RoHS Compliance
EDA/CAD 모델 Accelerated Designs에서 다운로드
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Renesas Electronics America
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)200V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C40A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs59m옴 @ 20A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)-
게이트 전하(Qg) @ Vgs43nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1800pF @ 25V
전력 - 최대100W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SC-83
공급 장치 패키지4-LDPAK
표준 포장 1,000
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)RJK2006DPE-00#J3
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