Renesas Electronics America RJK2009DPM-00#T0
- 제조업체 부품 번호
- RJK2009DPM-00#T0
- 제조업 자
- Renesas Electronics America
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
RJK2009DPM-00#T0 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 7,463.00000
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of RJK2009DPM-00#T0, we specialize in all series Renesas Electronics America electronic components. RJK2009DPM-00#T0 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RJK2009DPM-00#T0, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- RJK2009DPM-00#T0 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
RJK2009DPM-00#T0 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-RJK2009DPM-00#T0 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | RJK2009DPM Datasheet | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Compliance | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Renesas Electronics America | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 40A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 36m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 72nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2900pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 60W | |
| 작동 온도 | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-3PFM, SC-93-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-3PFM | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | RJK2009DPM-00#T0 | |
| 관련 링크 | RJK2009D, RJK2009DPM-00#T0 Datasheet, Renesas Electronics America Distributor | |
RJK2009DPM-00#T0 의 관련 제품
 | AEB476M2VS44B-F | 47µF 350V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 5000 Hrs @ 105°C | AEB476M2VS44B-F.pdf | |
 | 381LX222M180A052 | 2200µF 180V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 105°C | 381LX222M180A052.pdf | |
 | CGS884U010X5L | 880000µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 50 mOhm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C | CGS884U010X5L.pdf | |
 | VJ1812A181KBAAT4X | 180pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812A181KBAAT4X.pdf | |
 | MKP1839233635R | 3300pF Film Capacitor 250V 630V Polypropylene (PP), Metallized Axial 0.197" Dia x 0.433" L (5.00mm x 11.00mm) | MKP1839233635R.pdf | |
 | SL15 2R509-B | ICL 2.5 OHM 20% 9A 16MM | SL15 2R509-B.pdf | |
 | 15KPA75A-B | TVS DIODE 75VWM 122VC AXIAL | 15KPA75A-B.pdf | |
 | SIT8008BI-23-25E-100.000000E | OSC XO 2.5V 100MHZ | SIT8008BI-23-25E-100.000000E.pdf | |
 | ON5234,118 | MOSFET RF SOT404 D2PAK | ON5234,118.pdf | |
E.jpg) | VLS2012ET-150M | 15µH Shielded Wirewound Inductor 400mA 1.062 Ohm Max Nonstandard | VLS2012ET-150M.pdf | |
 | 19R106C | 10mH Unshielded Wirewound Inductor 230mA 7.3 Ohm Max Radial, Vertical Cylinder | 19R106C.pdf | |
| HM76-304R7JLFTR13 | 4.7µH Unshielded Wirewound Inductor 6A 20 mOhm Max Nonstandard | HM76-304R7JLFTR13.pdf |
