창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RJK2511DPK-00#T0 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | RJK2511DPK-00#T0 | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Compliance | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 65A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 34m옴 @ 32.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 120nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4900pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 200W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-3P | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | RJK2511DPK-00#T0 | |
관련 링크 | RJK2511D, RJK2511DPK-00#T0 Datasheet, Renesas Electronics America Distributor |
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![]() | RT1210DRD075K11L | RES SMD 5.11K OHM 0.5% 1/4W 1210 | RT1210DRD075K11L.pdf | |
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![]() | EZR32LG230F256R69G-B0R | IC RF TxRx + MCU 802.15.4 EZRadioPro 142MHz ~ 1.05GHz 64-VFQFN Exposed Pad | EZR32LG230F256R69G-B0R.pdf |