Renesas Electronics America RJK4518DPK-00#T0

RJK4518DPK-00#T0
제조업체 부품 번호
RJK4518DPK-00#T0
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 450V 39A TO3P
Datesheet 다운로드
다운로드
RJK4518DPK-00#T0 가격 및 조달

가능 수량

1150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 8,476.00000
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of RJK4518DPK-00#T0, we specialize in all series Renesas Electronics America electronic components. RJK4518DPK-00#T0 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RJK4518DPK-00#T0, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
RJK4518DPK-00#T0 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
RJK4518DPK-00#T0 매개 변수
내부 부품 번호EIS-RJK4518DPK-00#T0
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서RJK4518DPK-00#T0
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보RoHS Compliance
EDA/CAD 모델 Accelerated Designs에서 다운로드
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Renesas Electronics America
계열-
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)450V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C39A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs130m옴 @ 19.5A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)-
게이트 전하(Qg) @ Vgs93nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds4100pF @ 25V
전력 - 최대200W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-3P-3, SC-65-3
공급 장치 패키지TO-3P
표준 포장 1
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)RJK4518DPK-00#T0
관련 링크RJK4518D, RJK4518DPK-00#T0 Datasheet, Renesas Electronics America Distributor
RJK4518DPK-00#T0 의 관련 제품
22µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 9.8 Ohm @ 120Hz 1000 Hrs @ 105°C AVES226M35D16T-F.pdf
0.47µF 6.3V 세라믹 커패시터 X5R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) JMK107BJ474MK-T.pdf
33pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) 06033A330JAJ2A.pdf
33pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.197" L x 0.098" W(5.00mm x 2.50mm) RPE5C1H330J2P1Z03B.pdf
2.2µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 35V 1611 (4028 Metric) 2.3 Ohm 0.157" L x 0.110" W (4.00mm x 2.80mm) 595D225X0035B2T.pdf
FUSE GLASS 1A 250VAC 3AB 3AG 0318001.H.pdf
27MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 16mA Standby (Power Down) ASDMB-27.000MHZ-XY-T.pdf
DIODE GPP 1A 200V 150NS MPG06 RMPG06DHE3_A/53.pdf
100µH Shielded Wirewound Inductor 808mA 357 mOhm Nonstandard LDS0705-101M-R.pdf
RES SMD 187OHM 0.01% 1/4W J LEAD Y1121187R000T9L.pdf
Magnetic Reed Switch Magnet SPST-NO Wire Leads Cylinder, Threaded MP200701.pdf
Inductive Proximity Sensor 0.394" (10mm) IP67 Module TL-N10ME15.pdf