창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RJK5013DPE-00#J3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | RJK5013DPE-00#J3 | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Compliance | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 465m옴 @ 7A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1450pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 100W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-83 | |
공급 장치 패키지 | 4-LDPAK | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | RJK5013DPE-00#J3 | |
관련 링크 | RJK5013D, RJK5013DPE-00#J3 Datasheet, Renesas Electronics America Distributor |
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![]() | BSP250,135 | MOSFET P-CH 30V 3A SOT223 | BSP250,135.pdf | |
![]() | 7022PA | RELAY TIME DELAY | 7022PA.pdf | |
![]() | RC0402JR-0739RL | RES SMD 39 OHM 5% 1/16W 0402 | RC0402JR-0739RL.pdf | |
![]() | CRCW080518K2FKEA | RES SMD 18.2K OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW080518K2FKEA.pdf | |
![]() | RT0603BRB0733R2L | RES SMD 33.2 OHM 0.1% 1/10W 0603 | RT0603BRB0733R2L.pdf | |
![]() | RN73C2A383KBTDF | RES SMD 383K OHM 0.1% 1/10W 0805 | RN73C2A383KBTDF.pdf | |
![]() | DP11H2020A20F | DP11 HOR 20P 20DET 20F M7*5MM | DP11H2020A20F.pdf | |
![]() | P51-200-G-J-I36-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 200 PSI (1378.95 kPa) Vented Gauge Male - 3/8" (9.52mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-200-G-J-I36-4.5OVP-000-000.pdf |