창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RJK5033DPD-00#J2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | RJK5033DPD | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Compliance | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.3옴 @ 3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 600pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 65W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | MP-3A | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | RJK5033DPD-00#J2-ND RJK5033DPD-00#J2TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | RJK5033DPD-00#J2 | |
관련 링크 | RJK5033D, RJK5033DPD-00#J2 Datasheet, Renesas Electronics America Distributor |
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![]() | C1210C226M9RACTU | 22µF 6.3V 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | C1210C226M9RACTU.pdf | |
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![]() | TNPW06037K32BEEA | RES SMD 7.32KOHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPW06037K32BEEA.pdf | |
![]() | CPF0402B29R4E1 | RES SMD 29.4 OHM 0.1% 1/16W 0402 | CPF0402B29R4E1.pdf | |
![]() | RG1005P-4222-D-T10 | RES SMD 42.2KOHM 0.5% 1/16W 0402 | RG1005P-4222-D-T10.pdf | |
![]() | CAF94833(IDD5250-NF36) | 5.3GHz Module RF Antenna 4.9GHz ~ 6GHz 5dBi Connector, N Female Adhesive | CAF94833(IDD5250-NF36).pdf | |
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