Renesas Electronics America RJK6025DPD-00#J2

RJK6025DPD-00#J2
제조업체 부품 번호
RJK6025DPD-00#J2
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 600V 1A MP3A
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내부 부품 번호EIS-RJK6025DPD-00#J2
무연 여부 / RoHS 준수 여부납 함유 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서RJK6025DPD-00#J2
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보RoHS Compliance
EDA/CAD 모델 Accelerated Designs에서 다운로드
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Renesas Electronics America
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)600V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C1A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs17.5옴 @ 500mA, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)5V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs5nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds37.5pF @ 25V
전력 - 최대29.7W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63
공급 장치 패키지MP-3A
표준 포장 3,000
다른 이름RJK6025DPD-00#J2-ND
RJK6025DPD-00#J2TR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)RJK6025DPD-00#J2
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