창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RJK6032DPD-00#J2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | RJK6032DPD-00#J2 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.3옴 @ 1.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 9nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 285pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 40.3W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | MP-3A | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | RJK6032DPD-00#J2 | |
관련 링크 | RJK6032D, RJK6032DPD-00#J2 Datasheet, Renesas Electronics America Distributor |
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![]() | UVP1V330MPD1TD | 33µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | UVP1V330MPD1TD.pdf | |
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![]() | 1812GC272MAT3A\SB | 2700pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | 1812GC272MAT3A\SB.pdf | |
![]() | CDV30FH101GO3F | MICA | CDV30FH101GO3F.pdf | |
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![]() | HM78-45121LFTR | 120µH Shielded Inductor 1.1A 380 mOhm Max Nonstandard | HM78-45121LFTR.pdf | |
![]() | CRGH1206J3R0 | RES SMD 3 OHM 5% 1/2W 1206 | CRGH1206J3R0.pdf | |
![]() | 23J7K5E | RES 7.5K OHM 3W 5% AXIAL | 23J7K5E.pdf | |
![]() | P51-300-S-L-I36-5V-000-000 | Pressure Sensor 300 PSI (2068.43 kPa) Sealed Gauge Female - M10 x 1.25 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-300-S-L-I36-5V-000-000.pdf |