창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RJK60S7DPK-M0#T0 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | RJK60S7DPK-M0 | |
주요제품 | SuperJunction (SJ) MOSFETs | |
PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 16/Aug/2013 Multiple Devices 01/Jul/2013 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 초접합 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 125m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 39nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2300pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 227.2W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-3PSG | |
공급 장치 패키지 | TO-3PSG | |
표준 포장 | 100 | |
다른 이름 | RJK60S7DPKM0T0 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | RJK60S7DPK-M0#T0 | |
관련 링크 | RJK60S7D, RJK60S7DPK-M0#T0 Datasheet, Renesas Electronics America Distributor |
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![]() | KRL2012E-M-R047-F-T5 | RES SMD 0.047 OHM 1W 0805 WIDE | KRL2012E-M-R047-F-T5.pdf | |
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![]() | CF12JT3R30 | RES 3.3 OHM 1/2W 5% CARBON FILM | CF12JT3R30.pdf | |
![]() | MRS16000C5629FCT00 | RES 56.2 OHM 0.4W 1% AXIAL | MRS16000C5629FCT00.pdf |