Rohm Semiconductor RJP020N06T100

RJP020N06T100
제조업체 부품 번호
RJP020N06T100
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89
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내부 부품 번호EIS-RJP020N06T100
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서RJP020N06
제품 교육 모듈MOSFETs
카탈로그 페이지 1632 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Rohm Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C2A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs240m옴 @ 2A, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1.5V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs10nC(4V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds160pF @ 10V
전력 - 최대500mW
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-243AA
공급 장치 패키지MPT3
표준 포장 1,000
다른 이름RJP020N06T100TR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)RJP020N06T100
관련 링크RJP020, RJP020N06T100 Datasheet, Rohm Semiconductor Distributor
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