창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RN1508(TE85L,F) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | RN1507 - 09 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중)(에미터 결합) | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
저항기 - 베이스(R1)(옴) | 22k | |
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 47k | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
주파수 - 트랜지션 | 250MHz | |
전력 - 최대 | 300mW | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-74A, SOT-753 | |
공급 장치 패키지 | SMV | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | RN1508(TE85LF)TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | RN1508(TE85L,F) | |
관련 링크 | RN1508(, RN1508(TE85L,F) Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor |
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FK18C0G1H102J | 1000pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | FK18C0G1H102J.pdf | ||
![]() | A682M15X7RH5UAA | 6800pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 축방향 0.098" Dia x 0.150" L(2.50mm x 3.80mm) | A682M15X7RH5UAA.pdf | |
![]() | CBR06C180F1GAC | 18pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CBR06C180F1GAC.pdf | |
![]() | VJ0805D431KXBAR | 430pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D431KXBAR.pdf | |
![]() | VJ1812Y183JBEAT4X | 0.018µF 500V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812Y183JBEAT4X.pdf | |
![]() | F339MX221031MCM2B0 | 1000pF Film Capacitor 310V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.394" L x 0.157" W (10.00mm x 4.00mm) | F339MX221031MCM2B0.pdf | |
![]() | SIT9002AI-03N25ET | 1MHz ~ 220MHz LVPECL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 84mA Enable/Disable | SIT9002AI-03N25ET.pdf | |
![]() | MMBZ5248C-G3-08 | DIODE ZENER 18V 225MW SOT23-3 | MMBZ5248C-G3-08.pdf | |
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