창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RN1906FE,LF(CT | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | RN1901FE-06FE | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | 2 NPN - 사전 바이어싱됨(이중) | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
저항기 - 베이스(R1)(옴) | 4.7k | |
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 47k | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
주파수 - 트랜지션 | 250MHz | |
전력 - 최대 | 100mW | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-563, SOT-666 | |
공급 장치 패키지 | ES6 | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | RN1906FE,LF(CB RN1906FELF(CTTR RN1906FELFCT | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | RN1906FE,LF(CT | |
관련 링크 | RN1906F, RN1906FE,LF(CT Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor |
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HS200 R1 J | RES CHAS MNT 0.1 OHM 5% 200W | HS200 R1 J.pdf | ||
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![]() | RC1218FK-07215RL | RES SMD 215 OHM 1W 1812 WIDE | RC1218FK-07215RL.pdf | |
![]() | RG3216V-2430-B-T5 | RES SMD 243 OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216V-2430-B-T5.pdf | |
![]() | SQP500JB-2R7 | RES 2.7 OHM 5W 5% AXIAL | SQP500JB-2R7.pdf |