Toshiba Semiconductor and Storage RN1968(TE85L,F)
- 제조업체 부품 번호
- RN1968(TE85L,F)
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
- 간단한 설명
- TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
RN1968(TE85L,F) 가격 및 조달
가능 수량
4150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 66.42155
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of RN1968(TE85L,F), we specialize in all series Toshiba Semiconductor and Storage electronic components. RN1968(TE85L,F) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RN1968(TE85L,F), Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- RN1968(TE85L,F) 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
RN1968(TE85L,F) 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-RN1968(TE85L,F) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | RN1967-69 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | 2 NPN - 사전 바이어싱됨(이중) | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 22k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 47k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
| 주파수 - 트랜지션 | 250MHz | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| 공급 장치 패키지 | US6 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | RN1968(TE85LF)TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | RN1968(TE85L,F) | |
| 관련 링크 | RN1968(, RN1968(TE85L,F) Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor | |
RN1968(TE85L,F) 의 관련 제품
 | E81D401VSD182MBA0T | CAP ALUM 1800UF 400V RADIAL | E81D401VSD182MBA0T.pdf | |
| VJ0805D100GXXAJ | 10pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D100GXXAJ.pdf | |
 | NX7021D0148.500000 | 148.5MHz LVPECL XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 80mA Enable/Disable | NX7021D0148.500000.pdf | |
 | ASFLM1-10.000MHZ-C-T | 10MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3V 9mA Standby (Power Down) | ASFLM1-10.000MHZ-C-T.pdf | |
 | DFEH10040D-3R3M=P3 | 3.3µH Shielded Inductor 10A 12 mOhm Max Nonstandard | DFEH10040D-3R3M=P3.pdf | |
 | LQW2BASR11G00L | 110nH Unshielded Wirewound Inductor 400mA 480 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | LQW2BASR11G00L.pdf | |
 | P1166.223NLT | 22µH Shielded Wirewound Inductor 1.2A 126 mOhm Max Nonstandard | P1166.223NLT.pdf | |
 | RG1005P-331-B-T5 | RES SMD 330 OHM 0.1% 1/16W 0402 | RG1005P-331-B-T5.pdf | |
 | RCP2512W47R0GS2 | RES SMD 47 OHM 2% 22W 2512 | RCP2512W47R0GS2.pdf | |
.jpg) | RCS080593K1FKEA | RES SMD 93.1K OHM 1% 0.4W 0805 | RCS080593K1FKEA.pdf | |
| Y00078K40000T9L | RES 8.4K OHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y00078K40000T9L.pdf | |
 | AMS22S5P1BHAFL103 | SENSORS NON-CONTACT SINGLE TURN | AMS22S5P1BHAFL103.pdf |
