창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RN2102ACT(TPL3) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | RN2101ACT-06ACT | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | PNP - 사전 바이어스됨 | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 80mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
저항기 - 베이스(R1)(옴) | 10k | |
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 10k | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
주파수 - 트랜지션 | - | |
전력 - 최대 | 100mW | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-101, SOT-883 | |
공급 장치 패키지 | CST3 | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | RN2102ACT(TPL3)TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | RN2102ACT(TPL3) | |
관련 링크 | RN2102A, RN2102ACT(TPL3) Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor |
B57237S330M | ICL 33 OHM 20% 2.5A 15MM | B57237S330M.pdf | ||
3KASMC17AHE3_A/H | TVS DIODE 17VWM 27.6VC DO214AB | 3KASMC17AHE3_A/H.pdf | ||
7M40000002 | 40MHz ±10ppm 수정 12pF 0°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7M40000002.pdf | ||
AUIRGS4062D1TRL | IGBT 600V 59A 246W D2PAK | AUIRGS4062D1TRL.pdf | ||
B82734R2202B30 | 20mH @ 10kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 2A DCR 240 mOhm (Typ) | B82734R2202B30.pdf | ||
4922-27H | 150µH Unshielded Wirewound Inductor 630mA 998 mOhm Max 2-SMD | 4922-27H.pdf | ||
3090-561F | 560nH Unshielded Inductor 410mA 450 mOhm Max 2-SMD | 3090-561F.pdf | ||
G6EU-134P-ST-US-DC24 | General Purpose Relay SPDT (1 Form C) Through Hole | G6EU-134P-ST-US-DC24.pdf | ||
RCL0612165KFKEA | RES SMD 165K OHM 1/2W 1206 WIDE | RCL0612165KFKEA.pdf | ||
RT0603WRB0763K4L | RES SMD 63.4K OHM 1/10W 0603 | RT0603WRB0763K4L.pdf | ||
CRCW12066K80JNEAIF | RES SMD 6.8K OHM 5% 1/4W 1206 | CRCW12066K80JNEAIF.pdf | ||
YC248-FR-0759RL | RES ARRAY 8 RES 59 OHM 1606 | YC248-FR-0759RL.pdf |