Toshiba Semiconductor and Storage RN2105ACT(TPL3)
- 제조업체 부품 번호
- RN2105ACT(TPL3)
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
- 간단한 설명
- TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
RN2105ACT(TPL3) 가격 및 조달
가능 수량
11150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 49.02543
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of RN2105ACT(TPL3), we specialize in all series Toshiba Semiconductor and Storage electronic components. RN2105ACT(TPL3) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RN2105ACT(TPL3), Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- RN2105ACT(TPL3) 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
RN2105ACT(TPL3) 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-RN2105ACT(TPL3) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | RN2101ACT-06ACT | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | PNP - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 80mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 2.2k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 47k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | - | |
| 전력 - 최대 | 100mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-101, SOT-883 | |
| 공급 장치 패키지 | CST3 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | RN2105ACT(TPL3)TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | RN2105ACT(TPL3) | |
| 관련 링크 | RN2105A, RN2105ACT(TPL3) Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor | |
RN2105ACT(TPL3) 의 관련 제품
 | EEU-EB2W330 | 33µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | EEU-EB2W330.pdf | |
 | B43540B5107M62 | 100µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In - 3 Lead 960 mOhm @ 100Hz 10000 Hrs @ 85°C | B43540B5107M62.pdf | |
| 600D297G020DJ4 | 290µF 20V Aluminum Capacitors Axial, Can | 600D297G020DJ4.pdf | |
.jpg) | JMK063BJ473KP-F | 0.047µF 6.3V 세라믹 커패시터 X5R 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | JMK063BJ473KP-F.pdf | |
 | 440LD33AD-R | 3300pF 760VAC 세라믹 커패시터 Y5U(E) 방사형, 디스크 0.429" Dia(10.90mm) | 440LD33AD-R.pdf | |
| VJ0805D110FXCAC | 11pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D110FXCAC.pdf | |
 | 405C35D18M43200 | 18.432MHz ±30ppm 수정 18pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 405C35D18M43200.pdf | |
 | ASA2-75.000MHZ-L-T3 | 75MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 1.8V 10mA Enable/Disable | ASA2-75.000MHZ-L-T3.pdf | |
 | VSB3200-M3/73 | DIODE SCHOTTKY 200V 3A DO201AD | VSB3200-M3/73.pdf | |
 | NLCV32T-220K-PF | 22µH Unshielded Wirewound Inductor 300mA 1.001 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | NLCV32T-220K-PF.pdf | |
| 1331-564K | 560µH Shielded Inductor 40mA 28 Ohm Max Nonstandard | 1331-564K.pdf | |
 | RCP0603B27R0GS2 | RES SMD 27 OHM 2% 3.9W 0603 | RCP0603B27R0GS2.pdf |
