창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RN2108(T5L,F,T) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | RN2107-09 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | PNP - 사전 바이어스됨 | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
저항기 - 베이스(R1)(옴) | 22k | |
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 47k | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
주파수 - 트랜지션 | 200MHz | |
전력 - 최대 | 100mW | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-75, SOT-416 | |
공급 장치 패키지 | SSM | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | RN2108(T5LFT)TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | RN2108(T5L,F,T) | |
관련 링크 | RN2108(, RN2108(T5L,F,T) Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor |
CC45SL3AD680JYNN | 68pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.217" Dia(5.50mm) | CC45SL3AD680JYNN.pdf | ||
3404.0049.22 | FUSE BOARD MNT 125MA 125VAC/VDC | 3404.0049.22.pdf | ||
ABM81-32.000MHZ-B4Y-T3 | 32MHz ±30ppm 수정 18pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM81-32.000MHZ-B4Y-T3.pdf | ||
3EZ130D/TR8 | DIODE ZENER 130V 3W DO204AL | 3EZ130D/TR8.pdf | ||
100R-271F | 270nH Unshielded Inductor 256mA 240 mOhm Max Nonstandard, 2 Lead | 100R-271F.pdf | ||
CHPHT0805K46R4FGT | RES SMD 46.4 OHM 1% 0.02W 0805 | CHPHT0805K46R4FGT.pdf | ||
RT0805FRD0711KL | RES SMD 11K OHM 1% 1/8W 0805 | RT0805FRD0711KL.pdf | ||
ERJ-S02F2372X | RES SMD 23.7K OHM 1% 1/10W 0402 | ERJ-S02F2372X.pdf | ||
RT1206BRE071K13L | RES SMD 1.13K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RT1206BRE071K13L.pdf | ||
RCP1206W33R0GS6 | RES SMD 33 OHM 2% 11W 1206 | RCP1206W33R0GS6.pdf | ||
Y16293K87000T0W | RES SMD 3.87K OHM 1/10W 0805 | Y16293K87000T0W.pdf | ||
RNF18CTD20K0 | RES 20K OHM 1/8W .25% AXIAL | RNF18CTD20K0.pdf |