창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RN2110ACT(TPL3) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | RN2110ACT-11ACT | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | PNP - 사전 바이어스됨 | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 80mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
저항기 - 베이스(R1)(옴) | 4.7k | |
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | - | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
주파수 - 트랜지션 | - | |
전력 - 최대 | 100mW | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-101, SOT-883 | |
공급 장치 패키지 | CST3 | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | RN2110ACT(TPL3)TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | RN2110ACT(TPL3) | |
관련 링크 | RN2110A, RN2110ACT(TPL3) Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor |
DEF2CLH080DN3A | 8pF 6300V(6.3kV) 세라믹 커패시터 C0H 방사형, 디스크 0.315" Dia(8.00mm) | DEF2CLH080DN3A.pdf | ||
C907U509CZNDBAWL40 | 5pF 440VAC 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | C907U509CZNDBAWL40.pdf | ||
0034.2525 | FUSE CERM 8A 250VAC 125VDC 5X20 | 0034.2525.pdf | ||
ES2D-E3/52T | DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA | ES2D-E3/52T.pdf | ||
CDLL3022 | DIODE ZENER 12V 1W DO213AB | CDLL3022.pdf | ||
LK5320-7R | AC/DC CONVERTER 2X12V 150W | LK5320-7R.pdf | ||
CRCW121011R0FKEAHP | RES SMD 11 OHM 1% 3/4W 1210 | CRCW121011R0FKEAHP.pdf | ||
MCT06030D1240BPW00 | RES SMD 124 OHM 0.1% 1/10W 0603 | MCT06030D1240BPW00.pdf | ||
SMM02070C3601FBP00 | RES SMD 3.6K OHM 1% 1W MELF | SMM02070C3601FBP00.pdf | ||
SFR2500001500JA100 | RES 150 OHM 0.4W 5% AXIAL | SFR2500001500JA100.pdf | ||
Y00079K00000B0L | RES 9K OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y00079K00000B0L.pdf | ||
P51-50-A-J-D-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 50 PSI (344.74 kPa) Absolute Male - 3/8" (9.52mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-50-A-J-D-4.5OVP-000-000.pdf |