Toshiba Semiconductor and Storage RN2111ACT(TPL3)
- 제조업체 부품 번호
- RN2111ACT(TPL3)
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
- 간단한 설명
- TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
RN2111ACT(TPL3) 가격 및 조달
가능 수량
11150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 49.02543
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of RN2111ACT(TPL3), we specialize in all series Toshiba Semiconductor and Storage electronic components. RN2111ACT(TPL3) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RN2111ACT(TPL3), Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- RN2111ACT(TPL3) 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
RN2111ACT(TPL3) 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-RN2111ACT(TPL3) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | RN2110ACT-11ACT | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | PNP - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 80mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 10k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | - | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
| 주파수 - 트랜지션 | - | |
| 전력 - 최대 | 100mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-101, SOT-883 | |
| 공급 장치 패키지 | CST3 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | RN2111ACT(TPL3)TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | RN2111ACT(TPL3) | |
| 관련 링크 | RN2111A, RN2111ACT(TPL3) Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor | |
RN2111ACT(TPL3) 의 관련 제품
 | UUB1V330MCL1GS | 33µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 1000 Hrs @ 125°C | UUB1V330MCL1GS.pdf | |
 | SQCB7A130FAJWE | 13pF 500V 세라믹 커패시터 A 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | SQCB7A130FAJWE.pdf | |
 | FA-20H 20.0000ML81Z-AC3 | 20MHz -9ppm, +11ppm 수정 9pF 80옴 -20°C ~ 75°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | FA-20H 20.0000ML81Z-AC3.pdf | |
 | ASTMHTD-125.000MHZ-XR-E-T3 | 125MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTD-125.000MHZ-XR-E-T3.pdf | |
 | IXXK110N65B4H1 | IGBT 650V 240A 880W TO264 | IXXK110N65B4H1.pdf | |
 | SRR6038-8R7Y | 8.7µH Shielded Wirewound Inductor 2.2A 34 mOhm Max Nonstandard | SRR6038-8R7Y.pdf | |
 | ISC1812BN330K | 33µH Shielded Wirewound Inductor 202mA 1.72 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | ISC1812BN330K.pdf | |
 | THS15390RJ | RES CHAS MNT 390 OHM 5% 15W | THS15390RJ.pdf | |
 | CRCW12101K58FKEA | RES SMD 1.58K OHM 1% 1/2W 1210 | CRCW12101K58FKEA.pdf | |
 | RCP2512W36R0GEA | RES SMD 36 OHM 2% 22W 2512 | RCP2512W36R0GEA.pdf | |
 | 4308R-102-751 | RES ARRAY 4 RES 750 OHM 8SIP | 4308R-102-751.pdf | |
 | CP001519R10JE143 | RES 19.1 OHM 15W 5% AXIAL | CP001519R10JE143.pdf |
