Toshiba Semiconductor and Storage RN2601(TE85L,F)

RN2601(TE85L,F)
제조업체 부품 번호
RN2601(TE85L,F)
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Datesheet 다운로드
다운로드
RN2601(TE85L,F) 가격 및 조달

가능 수량

4150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 33.72969
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of RN2601(TE85L,F), we specialize in all series Toshiba Semiconductor and Storage electronic components. RN2601(TE85L,F) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RN2601(TE85L,F), Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
RN2601(TE85L,F) 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
RN2601(TE85L,F) 매개 변수
내부 부품 번호EIS-RN2601(TE85L,F)
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서RN2601-06
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형2 PNP - 사전 바이어싱됨(이중)
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)4.7k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)4.7k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce30 @ 10mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)100nA(ICBO)
주파수 - 트랜지션200MHz
전력 - 최대300mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SC-74, SOT-457
공급 장치 패키지SM6
표준 포장 3,000
다른 이름RN2601(TE85LF)TR
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)RN2601(TE85L,F)
관련 링크RN2601(, RN2601(TE85L,F) Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor
RN2601(TE85L,F) 의 관련 제품
33µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C B41044A2336M.pdf
130pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) VJ0603D131MXXAT.pdf
0.33µF Film Capacitor 250V 630V Polyester, Metallized Radial 1.024" L x 0.394" W (26.00mm x 10.00mm) BFC246857334.pdf
0.33µF Film Capacitor 450V 850V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.654" L x 0.472" W (42.00mm x 12.00mm) B32656A8334J.pdf
1.5µF Film Capacitor 220V 400V Polyester, Metallized Radial 1.181" L x 0.453" W (30.00mm x 11.50mm) BFC246829155.pdf
19.6608MHz ±20ppm 수정 18pF 70옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD CX532Z-A2B3C5-70-1966080D18.pdf
38.4MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 13mA Enable/Disable ASE-38.400MHZ-C-T3.pdf
14.7456MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable ASTMHTE-14.7456MHZ-ZC-E-T3.pdf
100µH Wirewound Inductor 60mA 2.73 Ohm Max 1007 (2518 Metric) LB2518T101KV.pdf
RES SMD 1.3 OHM 1% 1W 2010 RMCP2010FT1R30.pdf
RES SMD 12.1KOHM 0.5% 1/16W 0402 CRCW040212K1DKEDP.pdf
BLUE GECKO PREMIUM EFR32BG1P332F256GM32-C0R.pdf