Toshiba Semiconductor and Storage RN4907FE,LF(CB

RN4907FE,LF(CB
제조업체 부품 번호
RN4907FE,LF(CB
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Datesheet 다운로드
다운로드
RN4907FE,LF(CB 가격 및 조달

가능 수량

9150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 26.77496
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of RN4907FE,LF(CB, we specialize in all series Toshiba Semiconductor and Storage electronic components. RN4907FE,LF(CB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RN4907FE,LF(CB, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
RN4907FE,LF(CB 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
RN4907FE,LF(CB 매개 변수
내부 부품 번호EIS-RN4907FE,LF(CB
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서RN4907FE
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형1 NPN, 1 PNP - 사전 바이어싱됨(이중)
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)10k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)47k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce80 @ 10mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA
주파수 - 트랜지션250MHz, 200MHz
전력 - 최대100mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOT-563, SOT-666
공급 장치 패키지ES6
표준 포장 4,000
다른 이름RN4907FE(T5L,F,T)
RN4907FE(T5LFT)TR
RN4907FE(T5LFT)TR-ND
RN4907FE,LF(CT
RN4907FELF(CBTR
RN4907FELF(CTTR
RN4907FELF(CTTR-ND
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)RN4907FE,LF(CB
관련 링크RN4907F, RN4907FE,LF(CB Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor
RN4907FE,LF(CB 의 관련 제품
2.2µF 25V 세라믹 커패시터 X6S 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) C2012X6S1E225K085AB.pdf
Center Frequency 2845MHz Voltage Controlled Oscillator 0.3 ~ 4.7 V 4 ±3 dBm -15 dBc CVCO55CC-2770-2920.pdf
DIODE GEN PURP 200V 2A DO204AC UG2D-E3/54.pdf
DIODE ZENER 62V 410MW SOD123 BZT52B62-G3-18.pdf
TRANS NPN 45V 0.1A SOT883 BC847CM,315.pdf
Yellow 589nm LED Indication - Discrete 2V 1206 (3216 Metric) 156120YS75000.pdf
22µH Shielded Wirewound Inductor 1.1A 122.2 mOhm Max Nonstandard PA4301.223NLT.pdf
820nH Shielded Multilayer Inductor 150mA 650 mOhm Max 0805 (2012 Metric) MLF2012DR82MT000.pdf
150µH Shielded Wirewound Inductor 250mA 3.8 Ohm Max Nonstandard SRR4011-151YL.pdf
RES SMD 2.7K OHM 1% 1/16W 0402 CRCW04022K70FHEDP.pdf
RES 15M OHM 1/2W 1% AXIAL CMF5515M000FKEK.pdf
1.575GHz, 1.602GHz GLONASS, GPS Ceramic Patch RF Antenna 2.65dBi, 2.79dBi Solder Surface Mount ANT1818B00DT1516S.pdf