Toshiba Semiconductor and Storage RN4910FE(TE85L,F)
- 제조업체 부품 번호
- RN4910FE(TE85L,F)
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
- 간단한 설명
- TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
RN4910FE(TE85L,F) 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of RN4910FE(TE85L,F), we specialize in all series Toshiba Semiconductor and Storage electronic components. RN4910FE(TE85L,F) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RN4910FE(TE85L,F), Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- RN4910FE(TE85L,F) 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
RN4910FE(TE85L,F) 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-RN4910FE(TE85L,F) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | RN4910FE | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| 트랜지스터 유형 | 1 NPN, 1 PNP - 사전 바이어싱됨(이중) | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 4.7k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | - | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
| 주파수 - 트랜지션 | 250MHz | |
| 전력 - 최대 | 100mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-563, SOT-666 | |
| 공급 장치 패키지 | ES6 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | RN4910FE(TE85LF)CT | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | RN4910FE(TE85L,F) | |
| 관련 링크 | RN4910FE, RN4910FE(TE85L,F) Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor | |
RN4910FE(TE85L,F) 의 관련 제품
 | CD45-E2GA222M-VKA | 2200pF 440VAC 세라믹 커패시터 E 방사형, 디스크 0.354" Dia(9.00mm) | CD45-E2GA222M-VKA.pdf | |
| VJ0805D470JLXAJ | 47pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D470JLXAJ.pdf | |
 | SMLJ33CA | TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO214AB | SMLJ33CA.pdf | |
 | 7V-40.000MAHJ-T | 40MHz ±30ppm 수정 18pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7V-40.000MAHJ-T.pdf | |
| SIT8008AI-13-33S-33.330000E | OSC XO 3.3V 33.33MHZ ST | SIT8008AI-13-33S-33.330000E.pdf | |
-3.20-mm-x-2.50-mm.jpg) | DSC1102CL1-100.0000 | 100MHz LVPECL MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 58mA Standby (Power Down) | DSC1102CL1-100.0000.pdf | |
| DSC1101CI5-045.0000 | 45MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 35mA Standby (Power Down) | DSC1101CI5-045.0000.pdf | |
 | DMP25H18DLFDE-13 | MOSFET P-CH 250V 0.26A DFN2020-6 | DMP25H18DLFDE-13.pdf | |
 | LQW2UAS1R2J00L | 1.2µH Unshielded Wirewound Inductor 310mA 2 Ohm Max 1008 (2520 Metric) | LQW2UAS1R2J00L.pdf | |
| G6EU-134P-ST-US-DC12 | General Purpose Relay SPDT (1 Form C) Through Hole | G6EU-134P-ST-US-DC12.pdf | |
 | LT4HW8-AC24V | Programmable (Multi-Function) Time Delay Relay SPDT (1 Form C) 0.01 Sec ~ 9999 Hrs Delay 5A @ 250VAC Socket | LT4HW8-AC24V.pdf | |
 | CRCW08054K75DHEAP | RES SMD 4.75K OHM 0.5% 1/8W 0805 | CRCW08054K75DHEAP.pdf |
