Toshiba Semiconductor and Storage RN4982FE(T5L,F,T)
- 제조업체 부품 번호
- RN4982FE(T5L,F,T)
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
- 간단한 설명
- TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
RN4982FE(T5L,F,T) 가격 및 조달
가능 수량
5246 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 64.90200
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of RN4982FE(T5L,F,T), we specialize in all series Toshiba Semiconductor and Storage electronic components. RN4982FE(T5L,F,T) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RN4982FE(T5L,F,T), Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- RN4982FE(T5L,F,T) 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
RN4982FE(T5L,F,T) 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-RN4982FE(T5L,F,T) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | RN4982FE | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | Digi-Reel® | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | 1 NPN, 1 PNP - 사전 바이어싱됨(이중) | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 10k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 10k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
| 주파수 - 트랜지션 | 250MHz | |
| 전력 - 최대 | 100mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-563, SOT-666 | |
| 공급 장치 패키지 | ES6 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | RN4982FE(T5LFT)DKR RN4982FE(T5LFT)DKR-ND RN4982FELF(CBDKR RN4982FELF(CTDKR RN4982FELF(CTDKR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | RN4982FE(T5L,F,T) | |
| 관련 링크 | RN4982FE, RN4982FE(T5L,F,T) Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor | |
RN4982FE(T5L,F,T) 의 관련 제품
 | BFC247048823 | 0.082µF Film Capacitor 160V 250V Polyester, Metallized Radial 0.283" L x 0.236" W (7.20mm x 6.00mm) | BFC247048823.pdf | |
 | ATV66SM836A-G | TVS DIODE 36VWM 58.1VC DO218AB | ATV66SM836A-G.pdf | |
 | AA-16.000MBNV-T | 16MHz ±50ppm 수정 8pF 100옴 -40°C ~ 125°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC) | AA-16.000MBNV-T.pdf | |
| MA-506 7.0000M-C3: ROHS | 7MHz ±50ppm 수정 18pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | MA-506 7.0000M-C3: ROHS.pdf | |
 | SIT3807AC-G-25EE | 1.544MHz ~ 49.152MHz LVCMOS, LVTTL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 33mA Enable/Disable | SIT3807AC-G-25EE.pdf | |
 | MLEAWT-H1-R250-0002A5 | LED Lighting XLamp® ML-E White, Warm 3875K (3500K ~ 4250K) 3.2V 150mA 120° 4-SMD, J-Lead Exposed Pad | MLEAWT-H1-R250-0002A5.pdf | |
 | MP4-2L-1D-1E-4LL-00 | MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY | MP4-2L-1D-1E-4LL-00.pdf | |
 | ASPI-0320S-3R3N-T3 | 3.3µH Shielded Wirewound Inductor 1.24A 125 mOhm Max Nonstandard | ASPI-0320S-3R3N-T3.pdf | |
| S0603-151NJ2B | 150nH Unshielded Wirewound Inductor 280mA 980 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | S0603-151NJ2B.pdf | |
 | 4818P-2-820 | RES ARRAY 17 RES 82 OHM 18SOIC | 4818P-2-820.pdf | |
 | RNF18FTD90K9 | RES 90.9K OHM 1/8W 1% AXIAL | RNF18FTD90K9.pdf | |
 | RNMF12FTC402K | RES 402K OHM 1/2W 1% AXIAL | RNMF12FTC402K.pdf |
