Rohm Semiconductor RQ3E080BNTB
- 제조업체 부품 번호
- RQ3E080BNTB
- 제조업 자
- Rohm Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 30V 8A HSMT8
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
RQ3E080BNTB 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 91.11960
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of RQ3E080BNTB, we specialize in all series Rohm Semiconductor electronic components. RQ3E080BNTB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RQ3E080BNTB, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- RQ3E080BNTB 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
RQ3E080BNTB 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-RQ3E080BNTB | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | RQ3E080BN | |
| 제품 교육 모듈 | MOSFETs for DC-DC Converter & Load Switch Applications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 15.2m옴 @ 8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 14.5nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 660pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-HSMT(3.2x3) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | RQ3E080BNTBTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | RQ3E080BNTB | |
| 관련 링크 | RQ3E0, RQ3E080BNTB Datasheet, Rohm Semiconductor Distributor | |
RQ3E080BNTB 의 관련 제품
 | MAL209344221E3 | 220µF 420V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 670 mOhm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C | MAL209344221E3.pdf | |
-Kemet.jpg) | CA064C101K5GACTU | 100pF Isolated Capacitor 4 Array 50V C0G, NP0 0612 (1632 Metric) 0.063" L x 0.126" W (1.60mm x 3.20mm) | CA064C101K5GACTU.pdf | |
| VJ0805D112JLXAT | 1100pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D112JLXAT.pdf | |
 | VJ0402D0R8BXAAJ | 0.80pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D0R8BXAAJ.pdf | |
 | 18251A562JAT2A | 5600pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1825(4564 미터법) 0.180" L x 0.250" W(4.57mm x 6.35mm) | 18251A562JAT2A.pdf | |
 | R413F12200000M | 2200pF Film Capacitor 300V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.512" L x 0.157" W (13.00mm x 4.00mm) | R413F12200000M.pdf | |
| T86C105M050ESAS | 1µF Molded Tantalum Capacitors 50V 2312 (6032 Metric) 4.4 Ohm 0.236" L x 0.126" W (6.00mm x 3.20mm) | T86C105M050ESAS.pdf | |
 | DMN4468LSS-13 | MOSFET N CH 30V 10A 8SOP | DMN4468LSS-13.pdf | |
| 0925R-391K | 390nH Shielded Molded Inductor 485mA 190 mOhm Max Axial | 0925R-391K.pdf | |
| 4922-14K | 12µH Unshielded Wirewound Inductor 2.24A 79 mOhm Max 2-SMD | 4922-14K.pdf | |
| 5-1415008-1 | RELAY GEN PURP | 5-1415008-1.pdf | |
| MBA02040C2372FCT00 | RES 23.7K OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C2372FCT00.pdf |
