Rohm Semiconductor RQ3E100BNTB
- 제조업체 부품 번호
- RQ3E100BNTB
- 제조업 자
- Rohm Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
RQ3E100BNTB 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 98.77983
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of RQ3E100BNTB, we specialize in all series Rohm Semiconductor electronic components. RQ3E100BNTB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RQ3E100BNTB, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- RQ3E100BNTB 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
RQ3E100BNTB 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-RQ3E100BNTB | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | RQ3E100BN | |
| 제품 교육 모듈 | MOSFETs for DC-DC Converter & Load Switch Applications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10.4m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1100pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-HSMT(3.2x3) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | RQ3E100BNTBTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | RQ3E100BNTB | |
| 관련 링크 | RQ3E1, RQ3E100BNTB Datasheet, Rohm Semiconductor Distributor | |
RQ3E100BNTB 의 관련 제품
 | 30D157M050DC2A | 150µF 50V Aluminum Capacitors Axial, Can 2000 Hrs @ 85°C | 30D157M050DC2A.pdf | |
 | SQCAEM0R8BAJWE | 0.80pF 150V 세라믹 커패시터 M 0605(1613 미터법) 0.055" L x 0.055" W(1.40mm x 1.40mm) | SQCAEM0R8BAJWE.pdf | |
| ECW-F4165JLB | 1.6µF Film Capacitor 400V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.102" L x 0.559" W (28.00mm x 14.20mm) | ECW-F4165JLB.pdf | |
 | T520B337M2R5ATE070 | 330µF Molded Tantalum - Polymer Capacitors 2.5V 1411 (3528 Metric) 70 mOhm 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) | T520B337M2R5ATE070.pdf | |
 | SZBZX84C11ET1G | DIODE ZENER 11V 225MW SOT23-3 | SZBZX84C11ET1G.pdf | |
 | 1008R-392J | 3.9µH Unshielded Inductor 354mA 1.2 Ohm Max Nonstandard | 1008R-392J.pdf | |
| 2474-07K | 3.3µH Unshielded Molded Inductor 4.7A 16 mOhm Max Axial | 2474-07K.pdf | |
 | LTV-0501 | Optoisolator Transistor with Base Output 3750Vrms 1 Channel 8-SO | LTV-0501.pdf | |
 | RR0306P-391-D | RES SMD 390 OHM 0.5% 1/20W 0201 | RR0306P-391-D.pdf | |
 | RN73C1J56K2BTDF | RES SMD 56.2KOHM 0.1% 1/16W 0603 | RN73C1J56K2BTDF.pdf | |
 | CRCW1206191RFKEB | RES SMD 191 OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW1206191RFKEB.pdf | |
 | CW02B360R0JE70HS | RES 360 OHM 3.75W 5% AXIAL | CW02B360R0JE70HS.pdf |
