Rohm Semiconductor RQ3E120BNTB
- 제조업체 부품 번호
- RQ3E120BNTB
- 제조업 자
- Rohm Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
RQ3E120BNTB 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 143.81453
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of RQ3E120BNTB, we specialize in all series Rohm Semiconductor electronic components. RQ3E120BNTB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RQ3E120BNTB, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- RQ3E120BNTB 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
RQ3E120BNTB 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-RQ3E120BNTB | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | RQ3E120BN | |
| 제품 교육 모듈 | MOSFETs for DC-DC Converter & Load Switch Applications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.3m옴 @ 12A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 29nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1500pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-HSMT(3.2x3) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | RQ3E120BNTBTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | RQ3E120BNTB | |
| 관련 링크 | RQ3E1, RQ3E120BNTB Datasheet, Rohm Semiconductor Distributor | |
RQ3E120BNTB 의 관련 제품
 | AHA226M10B12T-F | 22µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 22.6 Ohm @ 120Hz 1000 Hrs @ 105°C | AHA226M10B12T-F.pdf | |
 | 63YXJ330MG412.5X20 | 330µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can 10000 Hrs @ 105°C | 63YXJ330MG412.5X20.pdf | |
| E36D501HPN102MCA5M | 1000µF 500V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 381 mOhm 2000 Hrs @ 85°C | E36D501HPN102MCA5M.pdf | |
 | ASTMUPCD-33-3.6864MHZ-LJ-E-T3 | 3.6864MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 36mA Enable/Disable | ASTMUPCD-33-3.6864MHZ-LJ-E-T3.pdf | |
 | 2950048 | DIODE MODULE 1.3KV 700MA | 2950048.pdf | |
 | U3C-M3/57T | DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AB | U3C-M3/57T.pdf | |
 | IXFK110N07 | MOSFET N-CH 70V 110A TO-264AA | IXFK110N07.pdf | |
| PE-1206CD122JTT | 1.2µH Unshielded Wirewound Inductor 300mA 3.2 Ohm Max Nonstandard | PE-1206CD122JTT.pdf | |
 | FOD050LR2 | Optoisolator Transistor with Base Output 2500Vrms 1 Channel 8-SOIC | FOD050LR2.pdf | |
| MK3PND-5-I-DC6 | General Purpose Relay 3PDT (3 Form C) 6VDC Coil Socketable | MK3PND-5-I-DC6.pdf | |
 | RMCF0402JT7R50 | RES SMD 7.5 OHM 5% 1/16W 0402 | RMCF0402JT7R50.pdf | |
 | CMF6015R000FKR6 | RES 15 OHM 1W 1% AXIAL | CMF6015R000FKR6.pdf |
