Rohm Semiconductor RQ3E120GNTB

RQ3E120GNTB
제조업체 부품 번호
RQ3E120GNTB
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 30V 12A 8-HSMT
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내부 부품 번호EIS-RQ3E120GNTB
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서RQ3E120GN
제품 교육 모듈MOSFETs for DC-DC Converter & Load Switch Applications
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Rohm Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C12A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs8.8m옴 @ 12A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.5V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs10nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds590pF @ 15V
전력 - 최대2W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-전력VDFN
공급 장치 패키지8-HSMT(3.2x3)
표준 포장 3,000
다른 이름RQ3E120GNTBTR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)RQ3E120GNTB
관련 링크RQ3E1, RQ3E120GNTB Datasheet, Rohm Semiconductor Distributor
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