Rohm Semiconductor RQ3E150GNTB
- 제조업체 부품 번호
- RQ3E150GNTB
- 제조업 자
- Rohm Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSMT
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
RQ3E150GNTB 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 192.74112
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of RQ3E150GNTB, we specialize in all series Rohm Semiconductor electronic components. RQ3E150GNTB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RQ3E150GNTB, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- RQ3E150GNTB 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
RQ3E150GNTB 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-RQ3E150GNTB | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | RQ3E150GN | |
| 제품 교육 모듈 | MOSFETs for DC-DC Converter & Load Switch Applications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.1m옴 @ 15A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15.3nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 850pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-HSMT(3.2x3) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | RQ3E150GNTBTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | RQ3E150GNTB | |
| 관련 링크 | RQ3E1, RQ3E150GNTB Datasheet, Rohm Semiconductor Distributor | |
RQ3E150GNTB 의 관련 제품
 | 381LX561M350A052 | 560µF 350V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 355 mOhm @ 120Hz 3000 Hrs @ 105°C | 381LX561M350A052.pdf | |
 | 381EL561M250J052 | 560µF 250V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 260 mOhm @ 120Hz 7000 Hrs @ 105°C | 381EL561M250J052.pdf | |
 | CSM4Z-A2B3C3-40-11.0592D18 | 11.0592MHz ±30ppm 수정 18pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC-49S | CSM4Z-A2B3C3-40-11.0592D18.pdf | |
 | SIT9003AC-13-33SD-27.00000T | OSC XO 3.3V 27MHZ ST 0.50% | SIT9003AC-13-33SD-27.00000T.pdf | |
 | DPG80C300HB | DIODE ARRAY GP 300V 40A TO247AD | DPG80C300HB.pdf | |
 | CUS551V30,H3F | DIODE SCHOTTKY 30V 500MA USC | CUS551V30,H3F.pdf | |
| IRG5K100HF06A | MOD IGBT 600V 100A POWIR 34 | IRG5K100HF06A.pdf | |
| ILD621-X001 | Optoisolator Transistor Output 5300Vrms 2 Channel 8-DIP | ILD621-X001.pdf | |
 | RPC0805JT7R50 | RES SMD 7.5 OHM 5% 1/4W 0805 | RPC0805JT7R50.pdf | |
 | RNF14BAC47K5 | RES 47.5K OHM 1/4W .1% AXIAL | RNF14BAC47K5.pdf | |
 | CP00073R900JE66 | RES 3.9 OHM 7W 5% AXIAL | CP00073R900JE66.pdf | |
| P51-200-G-AD-M12-5V-000-000 | Pressure Sensor 200 PSI (1378.95 kPa) Vented Gauge Male - 7/16" (11.11mm) UNF 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-200-G-AD-M12-5V-000-000.pdf |
