창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RQ6E045BNTCR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | RQ6E045BN | |
PCN 설계/사양 | TSMT Package Updates 24/Dec/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 30m옴 @ 4.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.4nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 330pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 1.25W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-74, SOT-457 | |
공급 장치 패키지 | TSMT6 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | RQ6E045BNTCRTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | RQ6E045BNTCR | |
관련 링크 | RQ6E04, RQ6E045BNTCR Datasheet, Rohm Semiconductor Distributor |
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K822M10X7RF5TH5 | 8200pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.142" L x 0.091" W(3.60mm x 2.30mm) | K822M10X7RF5TH5.pdf | ||
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GRM2195C2A200JZ01D | 20pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GRM2195C2A200JZ01D.pdf | ||
JJS-1 | FUSE CARTRIDGE 1A 600VAC NON STD | JJS-1.pdf | ||
03152.25MXP | FUSE GLASS 2.25A 250VAC 3AB 3AG | 03152.25MXP.pdf | ||
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3090-821J | 820nH Unshielded Inductor 355mA 600 mOhm Max 2-SMD | 3090-821J.pdf | ||
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RCP0603W56R0GTP | RES SMD 56 OHM 2% 3.9W 0603 | RCP0603W56R0GTP.pdf | ||
HVS1206-47MJ8 | RES SMD 47M OHM 5% 1/4W 1206 | HVS1206-47MJ8.pdf | ||
P51-1500-S-R-MD-5V-000-000 | Pressure Sensor 1500 PSI (10342.14 kPa) Sealed Gauge Male - M12 x 1.0 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-1500-S-R-MD-5V-000-000.pdf |