Renesas Electronics America RQJ0303PGDQA#H6
- 제조업체 부품 번호
- RQJ0303PGDQA#H6
- 제조업 자
- Renesas Electronics America
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
RQJ0303PGDQA#H6 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 304.55567
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of RQJ0303PGDQA#H6, we specialize in all series Renesas Electronics America electronic components. RQJ0303PGDQA#H6 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RQJ0303PGDQA#H6, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- RQJ0303PGDQA#H6 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
RQJ0303PGDQA#H6 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-RQJ0303PGDQA#H6 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | RQJ0303PGDQA | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Compliance | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Renesas Electronics America | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.3A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 68m옴 @ 1.6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 625pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 800mW | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | 3-MPAK | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | RQJ0303PGDQA#H6 | |
| 관련 링크 | RQJ0303, RQJ0303PGDQA#H6 Datasheet, Renesas Electronics America Distributor | |
RQJ0303PGDQA#H6 의 관련 제품
 | UWX0G221MCL1GB | 220µF 4V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 2000 Hrs @ 85°C | UWX0G221MCL1GB.pdf | |
 | 12101U200JAT2A | 20pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.49mm) | 12101U200JAT2A.pdf | |
 | VJ1210Y473JXGAT5Z | 0.047µF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | VJ1210Y473JXGAT5Z.pdf | |
.jpg) | MC18FD121J | 120pF Mica Capacitor 500V 1812 (4532 Metric) 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) | MC18FD121J.pdf | |
 | SMBJ5.0CD-M3/I | TVS DIODE 5VWM 9.1VC DO214AA | SMBJ5.0CD-M3/I.pdf | |
 | 445A35K25M00000 | 25MHz ±30ppm 수정 8pF 40옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A35K25M00000.pdf | |
 | 416F37413CSR | 37.4MHz ±10ppm 수정 시리즈 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F37413CSR.pdf | |
 | SIT8209AI-G2-33E-120.000000T | OSC XO 3.3V 120MHZ OE | SIT8209AI-G2-33E-120.000000T.pdf | |
| LHL13TB330K | 33µH Unshielded Inductor 3.2A 43 mOhm Max Radial | LHL13TB330K.pdf | |
 | PCAN0603E1502BST5 | RES SMD 15K OHM 0.1% 1/2W 0603 | PCAN0603E1502BST5.pdf | |
 | RNF14BAC2K10 | RES 2.1K OHM 1/4W .1% AXIAL | RNF14BAC2K10.pdf | |
 | RNF14BAC887R | RES 887 OHM 1/4W .1% AXIAL | RNF14BAC887R.pdf |
