Renesas Electronics America RQK0607AQDQS#H1

RQK0607AQDQS#H1
제조업체 부품 번호
RQK0607AQDQS#H1
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH
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내부 부품 번호EIS-RQK0607AQDQS#H1
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서RQK0607AQDQS
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Renesas Electronics America
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트, 2.5V 구동
드레인 - 소스 전압(Vdss)60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C2.4A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs270m옴 @ 1.2A, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)-
게이트 전하(Qg) @ Vgs2nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds170pF @ 10V
전력 - 최대1.5W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-243AA
공급 장치 패키지UPAK
표준 포장 1,000
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)RQK0607AQDQS#H1
관련 링크RQK0607, RQK0607AQDQS#H1 Datasheet, Renesas Electronics America Distributor
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