창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RR0816P-112-D | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | RR Series Datasheet | |
제품 교육 모듈 | Intro to Thin Film Chip Resistors | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | Cert of RoHS Compliance | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 2212 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
제조업체 | Susumu | |
계열 | RR | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 1.1k | |
허용 오차 | ±0.5% | |
전력(와트) | 0.063W, 1/16W | |
구성 | 박막 | |
특징 | - | |
온도 계수 | ±25ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
패키지/케이스 | 0603(1608 미터법) | |
공급 장치 패키지 | - | |
크기/치수 | 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | |
높이 | 0.020"(0.50mm) | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | RR0816P112D RR08P1.1KDTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | RR0816P-112-D | |
관련 링크 | RR0816, RR0816P-112-D Datasheet, Susumu Distributor |
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DEHR33F272KB4B | 2700pF 3150V(3.15kV) 세라믹 커패시터 R 방사형, 디스크 0.748" Dia(19.00mm) | DEHR33F272KB4B.pdf | ||
![]() | GRM1556P1H5R1CZ01D | 5.1pF 50V 세라믹 커패시터 P2H 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1556P1H5R1CZ01D.pdf | |
![]() | C921U330JZNDBAWL45 | 33pF 440VAC 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.354" Dia(9.00mm) | C921U330JZNDBAWL45.pdf | |
![]() | BBS-6/10 | FUSE CRTRDGE 6MA 600VAC NON STD | BBS-6/10.pdf | |
![]() | SMD1812P200TFA | FUSE RESETTABLE 2A 8V 1812 | SMD1812P200TFA.pdf | |
![]() | BZG04-120TR3 | TVS DIODE 120VWM 204VC DO214AC | BZG04-120TR3.pdf | |
![]() | SPD74R-224M | 220µH Shielded Wirewound Inductor 600mA 1.17 Ohm Max Nonstandard | SPD74R-224M.pdf | |
![]() | PM5022-471M-RC | 470µH Unshielded Wirewound Inductor 800mA 820 mOhm Nonstandard | PM5022-471M-RC.pdf | |
![]() | HVCB1206GDC430M | RES SMD 430M OHM 2% 1/3W 1206 | HVCB1206GDC430M.pdf | |
![]() | RG3216P-5103-D-T5 | RES SMD 510K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RG3216P-5103-D-T5.pdf | |
![]() | CW010256R0JE12 | RES 256 OHM 13W 5% AXIAL | CW010256R0JE12.pdf |