창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RS1E200BNTB | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | RS1E200BN | |
제품 교육 모듈 | MOSFETs for DC-DC Converter & Load Switch Applications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.9m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 59nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3100pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 3W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-HSOP | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | RS1E200BNTBTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | RS1E200BNTB | |
관련 링크 | RS1E2, RS1E200BNTB Datasheet, Rohm Semiconductor Distributor |
VJ0603D1R8CXPAP | 1.8pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D1R8CXPAP.pdf | ||
VJ0805D270KXCAP | 27pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D270KXCAP.pdf | ||
ATS204 | 20.48MHz ±30ppm 수정 20pF 30옴 -20°C ~ 70°C 스루홀 HC49/US | ATS204.pdf | ||
RS3KHE3_A/I | DIODE FAST REC 800V 3A DO214AB | RS3KHE3_A/I.pdf | ||
1N2817RB | DIODE ZENER 19V 50W TO204AD | 1N2817RB.pdf | ||
IRFR014PBF | MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK | IRFR014PBF.pdf | ||
NRG4026T220M | 22µH Shielded Wirewound Inductor 900mA 165 mOhm Nonstandard | NRG4026T220M.pdf | ||
4470-12K | 8.2µH Unshielded Molded Inductor 2.4A 90 mOhm Max Axial | 4470-12K.pdf | ||
2960009 | General Purpose Relay DPDT (2 Form C) Socketable | 2960009.pdf | ||
RC1005F6341CS | RES SMD 6.34K OHM 1% 1/16W 0402 | RC1005F6341CS.pdf | ||
PCR1206-4R7J1 | RES SMD 4.7 OHM 5% 1/3W 1206 | PCR1206-4R7J1.pdf | ||
CMF553K4000BEBF | RES 3.4K OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF553K4000BEBF.pdf |