Rohm Semiconductor RSJ550N10TL
- 제조업체 부품 번호
- RSJ550N10TL
- 제조업 자
- Rohm Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 55A LPTS
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
RSJ550N10TL 가격 및 조달
가능 수량
2150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 2,001.54240
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of RSJ550N10TL, we specialize in all series Rohm Semiconductor electronic components. RSJ550N10TL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RSJ550N10TL, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- RSJ550N10TL 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
RSJ550N10TL 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-RSJ550N10TL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | RSJ550N10 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 55A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 16.8m옴 @ 27.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 143nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6150pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 100W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-83 | |
| 공급 장치 패키지 | LPTS | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | RSJ550N10TLTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | RSJ550N10TL | |
| 관련 링크 | RSJ55, RSJ550N10TL Datasheet, Rohm Semiconductor Distributor | |
RSJ550N10TL 의 관련 제품
 | UPJ1V121MPD | 120µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 3000 Hrs @ 105°C | UPJ1V121MPD.pdf | |
 | 226BPS100M | 22µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can 7.536 Ohm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C | 226BPS100M.pdf | |
 | C0805S471K5RAC7800 | 470pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805S471K5RAC7800.pdf | |
 | VJ0805D331GLXAT | 330pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D331GLXAT.pdf | |
| SIT8208AI-2F-33E-30.000000Y | OSC XO 3.3V 30MHZ OE | SIT8208AI-2F-33E-30.000000Y.pdf | |
| 2SD1012G-SPA | TRANS NPN 15V 0.7A SPA | 2SD1012G-SPA.pdf | |
 | 0819-26J | 1.2µH Unshielded Molded Inductor 410mA 280 mOhm Max Axial | 0819-26J.pdf | |
.jpg) | RL2512JK-070R22L | RES SMD 0.22 OHM 5% 1W 2512 | RL2512JK-070R22L.pdf | |
.jpg) | CR0805-FX-15R0ELF | RES SMD 15 OHM 1% 1/8W 0805 | CR0805-FX-15R0ELF.pdf | |
 | MCR03EZPFX29R4 | RES SMD 29.4 OHM 1% 1/10W 0603 | MCR03EZPFX29R4.pdf | |
 | PFS35-1R2F1 | RES SMD 1.2 OHM 1% 35W TO263 | PFS35-1R2F1.pdf | |
| ATT-0640-03-HEX-02 | RF Attenuator 3dB ±0.8dB 0Hz ~ 4GHz 1W HEX In-Line Module | ATT-0640-03-HEX-02.pdf |
