Rohm Semiconductor RSJ650N10TL
- 제조업체 부품 번호
- RSJ650N10TL
- 제조업 자
- Rohm Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 65A LPTS
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
RSJ650N10TL 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 3,261.77280
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of RSJ650N10TL, we specialize in all series Rohm Semiconductor electronic components. RSJ650N10TL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RSJ650N10TL, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- RSJ650N10TL 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
RSJ650N10TL 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-RSJ650N10TL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | RSJ650N10 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 65A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.1m옴 @ 32.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 260nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 10780pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 100W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-83 | |
| 공급 장치 패키지 | LPTS | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | RSJ650N10TLTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | RSJ650N10TL | |
| 관련 링크 | RSJ65, RSJ650N10TL Datasheet, Rohm Semiconductor Distributor | |
RSJ650N10TL 의 관련 제품
 | SLP272M063C5P3 | 2700µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 147 mOhm @ 120Hz 3000 Hrs @ 105°C | SLP272M063C5P3.pdf | |
 | B43564A9228M | 2200µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 72 mOhm @ 100Hz 15000 Hrs @ 85°C | B43564A9228M.pdf | |
 | 18251A562JAT2A | 5600pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1825(4564 미터법) 0.180" L x 0.250" W(4.57mm x 6.35mm) | 18251A562JAT2A.pdf | |
 | GRM0335C1E200JD01D | 20pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0335C1E200JD01D.pdf | |
 | T510X227K016ATE025 | 220µF Molded Tantalum Capacitors 16V 2917 (7343 Metric) 25 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | T510X227K016ATE025.pdf | |
 | 06031K5R1BAWTR | 5.1pF Thin Film Capacitor 100V 0603 (1608 Metric) 0.063" L x 0.032" W (1.60mm x 0.81mm) | 06031K5R1BAWTR.pdf | |
 | FK2700016 | 27MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 10mA Enable/Disable | FK2700016.pdf | |
| KBU8B | DIODE BRIDGE 100V 8A KBU | KBU8B.pdf | |
 | SPHWH2L3D30ED4WPG3 | LED Lighting LH351B White, Warm 2700K 2.8V 350mA 120° 2-SMD, No Lead, Exposed Pad | SPHWH2L3D30ED4WPG3.pdf | |
 | AISC-1210-R47J-T | 470nH Unshielded Wirewound Inductor 490mA 800 mOhm Max Nonstandard | AISC-1210-R47J-T.pdf | |
| HM17-855560LF | 56µH Unshielded Wirewound Inductor 1.1A 310 mOhm Max Radial | HM17-855560LF.pdf | |
 | WW1FT15R8 | RES 15.8 OHM 1W 1% AXIAL | WW1FT15R8.pdf |
