Rohm Semiconductor RSQ025P03TR
- 제조업체 부품 번호
- RSQ025P03TR
- 제조업 자
- Rohm Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT6
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
RSQ025P03TR 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 281.26600
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of RSQ025P03TR, we specialize in all series Rohm Semiconductor electronic components. RSQ025P03TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RSQ025P03TR, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- RSQ025P03TR 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
RSQ025P03TR 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-RSQ025P03TR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | RSQ025P03 | |
| 주요제품 | MOSFET ECOMOS | |
| PCN 설계/사양 | TSMT Package Updates 24/Dec/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.5A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 110m옴 @ 2.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 4.4nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 320pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 1.25W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-74, SOT-457 | |
| 공급 장치 패키지 | TSMT6 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | RSQ025P03TR | |
| 관련 링크 | RSQ02, RSQ025P03TR Datasheet, Rohm Semiconductor Distributor | |
RSQ025P03TR 의 관련 제품
 | KMG350VBR47M6X11LL | 0.47µF 350V Aluminum Capacitors Radial, Can 846.383 Ohm @ 120Hz 1000 Hrs @ 105°C | KMG350VBR47M6X11LL.pdf | |
 | B37979G5471J054 | 470pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.217" L x 0.197" W(5.50mm x 5.00mm) | B37979G5471J054.pdf | |
 | F950G227MSAAM1Q | 220µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 4V 1206 (3216 Metric) 800 mOhm 0.126" L x 0.067" W (3.20mm x 1.70mm) | F950G227MSAAM1Q.pdf | |
 | 445W35L20M00000 | 20MHz ±30ppm 수정 12pF 40옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W35L20M00000.pdf | |
 | 74404064330 | 33µH Shielded Wirewound Inductor 1.45A 137 mOhm Nonstandard | 74404064330.pdf | |
 | S0402-27NF1S | 27nH Unshielded Wirewound Inductor 400mA 360 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | S0402-27NF1S.pdf | |
-TNP-SERIES.jpg) | TNPW080510K2BEEN | RES SMD 10.2K OHM 0.1% 1/8W 0805 | TNPW080510K2BEEN.pdf | |
.jpg) | RCS06035K11FKEA | RES SMD 5.11K OHM 1% 1/4W 0603 | RCS06035K11FKEA.pdf | |
| RR02J30KTB | RES 30.0K OHM 2W 5% AXIAL | RR02J30KTB.pdf | |
 | CW00539R00JE73HE | RES 39 OHM 6.5W 5% AXIAL | CW00539R00JE73HE.pdf | |
 | GX-ML8B-U | Inductive Proximity Sensor 0.098" (2.5mm) IP68, IP69K Cylinder, Threaded - M8 | GX-ML8B-U.pdf | |
 | 66F065-0146 | THERMOSTAT 65 DEG NO 8-DIP | 66F065-0146.pdf |
