창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RT0402DRD0752R3L | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | RT Series | |
제품 교육 모듈 | Chip Resistor | |
주요제품 | Yageo - Thin-Film Chip Resistors RT Series Thin Film Chip Resistors | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
제조업체 | Yageo | |
계열 | RT | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 52.3 | |
허용 오차 | ±0.5% | |
전력(와트) | 0.063W, 1/16W | |
구성 | 박막 | |
특징 | 내습성 | |
온도 계수 | ±25ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
패키지/케이스 | 0402(1005 미터법) | |
공급 장치 패키지 | 0402 | |
크기/치수 | 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | |
높이 | 0.014"(0.35mm) | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 10,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | RT0402DRD0752R3L | |
관련 링크 | RT0402DR, RT0402DRD0752R3L Datasheet, Yageo Distributor |
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![]() | BFC237965244 | 0.24µF Film Capacitor 220V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.276" W (26.00mm x 7.00mm) | BFC237965244.pdf | |
![]() | T95Z226M020ESAL | 22µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 20V 2910 (7227 Metric) 400 mOhm 0.285" L x 0.104" W (7.24mm x 2.65mm) | T95Z226M020ESAL.pdf | |
![]() | C10G2 | FUSE CARTRIDGE 2A 500VAC 5AG | C10G2.pdf | |
![]() | SMBJ60C | TVS DIODE 60VWM 101.64VC SMT | SMBJ60C.pdf | |
![]() | ASG-P-V-B-320.000MHZ-T | 320MHz LVPECL VCXO Oscillator Surface Mount 2.5V 60mA Enable/Disable | ASG-P-V-B-320.000MHZ-T.pdf | |
![]() | BYV26E-TAP | DIODE AVALANCHE 1000V 1A SOD57 | BYV26E-TAP.pdf | |
![]() | SI2308BDS-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3 | SI2308BDS-T1-GE3.pdf | |
![]() | L-07C56NJV6T | 56nH Unshielded Multilayer Inductor 150mA 2 Ohm Max 0402 (1005 Metric) | L-07C56NJV6T.pdf | |
![]() | B82422A3470K108 | 47nH Unshielded Wirewound Inductor 510mA 190 mOhm Max 2-SMD | B82422A3470K108.pdf | |
![]() | 1064-915-DK | KIT DEVELOPMENT FOR SI1064 | 1064-915-DK.pdf | |
![]() | OP550A | PHOTOTRNSISTR NPN 935NM SIDELOOK | OP550A.pdf |