창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RTF015N03TL | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | RTF015N03 | |
제품 교육 모듈 | MOSFETs | |
주요제품 | MOSFET ECOMOS | |
카탈로그 페이지 | 1633 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 2.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 240m옴 @ 1.5A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 2.2nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 80pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 750mW | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 3-SMD, 플랫 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | TUMT3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | RTF015N03TLTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | RTF015N03TL | |
관련 링크 | RTF01, RTF015N03TL Datasheet, Rohm Semiconductor Distributor |
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GRM0225C1E6R9DDAEL | 6.9pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 01005(0402 미터법) 0.016" L x 0.008" W(0.40mm x 0.20mm) | GRM0225C1E6R9DDAEL.pdf | ||
CC0805JRNPOYBN102 | 1000pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CC0805JRNPOYBN102.pdf | ||
VJ0603D1R8CXCAC | 1.8pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D1R8CXCAC.pdf | ||
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RR02J100RTB | RES 100 OHM 2W 5% AXIAL | RR02J100RTB.pdf |