창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RZM002P02T2L | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | RZM002P02 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 1.2V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 200mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.2옴 @ 200mA, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 1.4nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 115pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 150mW | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-723 | |
공급 장치 패키지 | VMT3 | |
표준 포장 | 8,000 | |
다른 이름 | RZM002P02T2L-ND RZM002P02T2LTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | RZM002P02T2L | |
관련 링크 | RZM002, RZM002P02T2L Datasheet, Rohm Semiconductor Distributor |
LXZ25VB152M12X25LL | 1500µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can 7000 Hrs @ 105°C | LXZ25VB152M12X25LL.pdf | ||
IXBOD2-11 | BREAKOVER DIODE | IXBOD2-11.pdf | ||
416F40635CAR | 40.61MHz ±30ppm 수정 10pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F40635CAR.pdf | ||
SIT8209AC-23-33E-125.00000Y | OSC XO 3.3V 125MHZ OE | SIT8209AC-23-33E-125.00000Y.pdf | ||
ULN2003AIPWRG4 | TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A TSSOP | ULN2003AIPWRG4.pdf | ||
FGD4536TM | IGBT 360V 125W DPAK | FGD4536TM.pdf | ||
RT0603FRE0725R5L | RES SMD 25.5 OHM 1% 1/10W 0603 | RT0603FRE0725R5L.pdf | ||
ERJ-S06F1023V | RES SMD 102K OHM 1% 1/8W 0805 | ERJ-S06F1023V.pdf | ||
RG3216P-1503-B-T5 | RES SMD 150K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216P-1503-B-T5.pdf | ||
RCWE040256L0FNEA | RES SMD 0.056 OHM 1% 1/8W 0402 | RCWE040256L0FNEA.pdf | ||
MBB02070C9108FRP00 | RES 9.1 OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB02070C9108FRP00.pdf | ||
MLX71121KLQ-AAA-000-TU | - RF Receiver FSK, OOK 300MHz ~ 930MHz -112dBm 100kbps 32-QFN (5x5) | MLX71121KLQ-AAA-000-TU.pdf |