API Delevan Inc. S1210R-101J
- 제조업체 부품 번호
- S1210R-101J
- 제조업 자
- API Delevan Inc.
- 제품 카테고리
- 고정 인덕터
- 간단한 설명
- 100nH Shielded Inductor 1.131A 150 mOhm Max 1210 (3225 Metric)
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
S1210R-101J 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,200.74000
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of S1210R-101J, we specialize in all series API Delevan Inc. electronic components. S1210R-101J can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S1210R-101J, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- S1210R-101J 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
S1210R-101J 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-S1210R-101J | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | S1210(R) Series | |
| 종류 | 인덕터, 코일, 초크 | |
| 제품군 | 고정 인덕터 | |
| 제조업체 | API Delevan Inc. | |
| 계열 | S1210R | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 유형 | - | |
| 소재 - 코어 | 인두 | |
| 유도 용량 | 100nH | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 정격 전류 | 1.131A | |
| 전류 - 포화 | - | |
| 차폐 | 차폐 | |
| DC 저항(DCR) | 150m옴최대 | |
| Q @ 주파수 | 40 @ 25MHz | |
| 주파수 - 자기 공진 | 375MHz | |
| 등급 | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 주파수 - 테스트 | 25MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 1210(3225 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.138" L x 0.105" W(3.51mm x 2.66mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 0.101"(2.57mm) | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | S1210R-101J 2000 TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | S1210R-101J | |
| 관련 링크 | S1210, S1210R-101J Datasheet, API Delevan Inc. Distributor | |
S1210R-101J 의 관련 제품
 | EEE-HAV330WAP | 33µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 1000 Hrs @ 105°C | EEE-HAV330WAP.pdf | |
 | UHE1H560MET | 56µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | UHE1H560MET.pdf | |
 | 885012207005 | 220pF 10V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | 885012207005.pdf | |
 | ATS042ASM-1E | 4.096MHz ±30ppm 수정 20pF 120옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ATS042ASM-1E.pdf | |
 | BR605 | DIODE BRIDGE 50V 6A BR-6 | BR605.pdf | |
 | NJVMJD44H11G | TRANS NPN 80V 8A DPAK-4 | NJVMJD44H11G.pdf | |
 | IHSM5832ER1R2L | 1.2µH Unshielded Inductor 8.8A 11 mOhm Max Nonstandard | IHSM5832ER1R2L.pdf | |
 | ERJ-1GEF1183C | RES SMD 118K OHM 1% 1/20W 0201 | ERJ-1GEF1183C.pdf | |
.jpg) | AT0805FRE071K8L | RES SMD 1.8K OHM 1% 1/8W 0805 | AT0805FRE071K8L.pdf | |
| Y16252K86600Q0R | RES SMD 2.866K OHM 0.3W 1206 | Y16252K86600Q0R.pdf | |
.jpg) | TNPW201036K0BEEY | RES SMD 36K OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW201036K0BEEY.pdf | |
| CMF65221R00FKR6 | RES 221 OHM 1.5W 1% AXIAL | CMF65221R00FKR6.pdf |
