창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-S2M-13-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | S2A-S2M, S2AA-S2MA | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 조립/원산지 | SMA,SMB,SMC Additional Assembly Site 17/Oct/2013 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1584 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 표준 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 1000V(1kV) | |
전류 -평균 정류(Io) | 1.5A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.15V @ 1.5A | |
속도 | 표준 회복 >500ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 1000V | |
정전 용량 @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-214AA, SMB | |
공급 장치 패키지 | SMB | |
작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 150°C | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | S2M-FDITR S2M13F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | S2M-13-F | |
관련 링크 | S2M-, S2M-13-F Datasheet, Diodes Incorporated Distributor |
![]() | EMK042CG070DD-W | 7pF 16V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 01005(0402 미터법) 0.016" L x 0.008" W(0.40mm x 0.20mm) | EMK042CG070DD-W.pdf | |
![]() | VJ0805D911MLXAT | 910pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D911MLXAT.pdf | |
![]() | VJ1825Y394JBBAT4X | 0.39µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 1825(4564 미터법) 0.183" L x 0.252" W(4.65mm x 6.40mm) | VJ1825Y394JBBAT4X.pdf | |
![]() | DBJ-5R5D334T | 330mF Supercap 5.5V Radial, Can 150 Ohm @ 1kHz 1000 Hrs @ 85°C 0.531" Dia (13.50mm) | DBJ-5R5D334T.pdf | |
![]() | 445I35L14M31818 | 14.31818MHz ±30ppm 수정 12pF 50옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445I35L14M31818.pdf | |
![]() | 510FBA155M520BAGR | 155.52MHz LVDS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 2.5V 23mA Enable/Disable | 510FBA155M520BAGR.pdf | |
![]() | 3296W-1-202 | 2k Ohm 0.5W, 1/2W PC Pins Through Hole Trimmer Potentiometer Cermet 25 Turn Top Adjustment | 3296W-1-202.pdf | |
![]() | 5022R-272J | 2.7µH Unshielded Inductor 550mA 1.2 Ohm Max 2-SMD | 5022R-272J.pdf | |
![]() | 4922R-29K | 220µH Unshielded Wirewound Inductor 500mA 1.58 Ohm Max 2-SMD | 4922R-29K.pdf | |
![]() | PTN1206E2373BST1 | RES SMD 237K OHM 0.1% 0.4W 1206 | PTN1206E2373BST1.pdf | |
![]() | ERG-3SJ512A | RES 5.1K OHM 3W 5% AXIAL | ERG-3SJ512A.pdf | |
RM024-P10-M-30 | RF TXRX MODULE ISM>1GHZ CHIP ANT | RM024-P10-M-30.pdf |