STMicroelectronics SCT20N120
- 제조업체 부품 번호
- SCT20N120
- 제조업 자
- STMicroelectronics
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247
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SCT20N120 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SCT20N120 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SCT20N120 Power Management Guide Fine Tune SIC MOSFET Gate Driver | |
| 제품 교육 모듈 | Silicon Carbide MOSFET | |
| 주요제품 | SCT20N120 and SCT30N120 Silicon-Carbide Power MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 실리콘 카바이드(SiC) | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 290m옴 @ 10A, 20V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 45nC(20V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 650pF @ 400V | |
| 전력 - 최대 | 175W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 200°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | HiP247™ | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 다른 이름 | 497-15170 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SCT20N120 | |
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